台积电美国晶圆厂加速布局，3nm与2nm工艺将同步推进

根据供应链消息，台积电美国亚利桑那州Fab 21晶圆厂第二阶段（P2）将调整原有纯3nm工艺规划，改为同时部署3nm FinFET与2nm GAA工艺。目前P2厂区正在进行无尘室及机电工程整合，预计2026年10月启动设备装机。其中，A区延续3nm制程，B区则提前导入更具竞争力的2nm GAA技术，无需等待后续P3厂建设。

此外，Fab 21 P2有望于2027年第二季度建成试点线，并于第四季度量产，较原计划提前一年。此前具备5/4nm能力的P1厂区已实现量产，并在今年第二季度为台积电带来实际收益。